n20n60是什么管

gf19nc60kd能和20n60代换gf19nc60kd参数是每600V16A20N60就是N沟道场效应管，其参数是每600V20A该场效应晶体管的数字代表耐压和电流标称值，后者可以代换前者的；n20n60是绝缘型沟道场效应管场效应晶体管FET是场效应管的缩写主要有结型FET jfet和金属氧化物半导体FET MOSFET两种类型由大多数载流子参与导通，又称单极晶体管它是一种电压控制的半导体器件具有高输入电阻107 ~ 1015 ω低噪声低功耗动态范围大易集成无二次击穿现象；20N60，这个是600V20A的场效应管您去网上搜一下RJH60D2的耐压和电流是否一致或高于，当然内阻也要小一些为好另外注意一下两者的封装，就OK了；有FHF20N60低压MOS管就可替代型号TK20A60T低压MOS管20N60为N沟道增强型高压功率场效应管目前DCDC转换器广泛应用于手机MP3数码相机便携式媒体播放器等产品中，在电路类型分类上属于斩波电路，因此在选用MOS管产品的时候，电子产品的厂商电子工程师可以多考虑国内的产品，目前飞虹生产的型号。

20n60s5是场效应管，一半用于开关电源场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称场效应管主要有两种类型junction FETJFET和金属 氧化物半导体场效应管metaloxide semiconductor FET，简称MOSFET由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件具有；20n60c3是一款N沟道MOS场效应晶体管根据查询相关公开信息显示，20N60C3是一款N沟道MOS场效应晶体管它的主要特点是功率大损耗低可靠性高，在电源管理变换器等领域得到了广泛应用；npn20n60是一款N沟道增强型高压功率场效应管，该场效应管不属于pnp范围，因此是npn场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件；电磁炉IGBT可以代替20N60，因为IGBT绝缘栅双极性晶体管具有高负载能力低开关损耗高开关速度低饱和电压和低温度漂移等优点相比之下，20N60是一种MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管，其开关速度较慢，且需要较高的驱动电压和电流因此，在电磁炉等高功率应用中，IGBT更为适合，可以提高。

20N60 是一款 IGBT 管一般用在逆变焊机上， 主要用地电子高频开关即， 变频的主要开关器件20N60 的主要参数如下耐压 600V DC耐流 20A @90摄氏度下 如果， 该器件损坏 理论上不建议直接更换它的， 因为它存在， 不同品牌间开关度速不一样 一般是需要匹配相应的驱动电阻；15N65是15A，650V，N沟道功率MOSFET 20N60是20A，600V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了一般设计余量应该不止50V，因此我觉得可以试试望采纳；20N60S1是20A，600伏的N沟道功率MOSFET场效应管，常用于液晶电视电源逆变器充电器等场合。

场效应管20N60650V207A208W是一带阻的N沟道场效应管，应以 H20T120 HW20T120 H20R1202 H20R1203 GT40T301代换为妥；20N60是场效应管20A600V，很容易购到；场效应管，如击穿三个脚皆通，有时还会连带损G极电阻；根据查询相关资料信息20n60是场效应管MOS管，20A600V开关电源电动车充电器易损件20n60s5是场效应管，一半用于开关电源场效应晶体管FieldEffectTransistor缩写FET简称场效应管。

这是一只N沟道场效应三极管，20A，600V只要满足这些参数就可以代换其实20N60这个管子是最容易买到的注意充电器开关管如果击穿可以肯定还有其他元件损坏包括3842控制芯片发射极取样电阻整流二极管也可能击穿一定要检查全面。