h20r1202参数及管脚图

电磁炉中的IGBT，H20R1202和H20R1203的区别是设计序号不同IGBTInsulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流A，如上述型号20表示额定工作电流为20A后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压V，如上述120表示最大关断电压为1200；因为你没发照片，而且型号也不全，只能猜测一下，全型号是H20R1202吗这个型号的功率管不普通三极管，是IGBT管，是一种复合三极管，常用于电磁炉H20R1202的主要参数是20A，1200V，TO3P的封装形式还有种2SB1202三极管，PNP三极管，主要参数是60V，3A，常和2SD1802做对管。

不可以，H20R1202是IGBT管，而40G120是N沟道场效应管，它们两个不是同一种器件；区别就是设计序号不同，但是电流20A，耐压1200V，可以互换IGBT是绝缘栅双极型晶体管型号的前一组数字表示该IGBT的额定工作电流A，如上述型号20表示额定工作电流为20A后一组数字的前3位×10表示该IGBT的最大关断电压V，如上述120表示最大关断电压为1200V最后一位数字是设计序号；也用作无触点开关2晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种3h20r1202是三极管的一种型号；可以代换，这两种FGA25N120与H20R1202型号都不带阻尼二极管！第一个是25安 120V耐压！第二个是20安培，120V耐压！如果你觉不放心怕安培小了，可以两个管子并联；是效应管对 这样测把管子放在桌上，有字的一面对着你，万用表1K档，无击穿的情况下，第一脚第二脚正反阻值无限大，第一脚和第三脚正反也是无限大 第二脚和第三脚正向有较小电阻，反向无限大 反正不管怎么量只有二三脚的一向有较小电阻而已其他都是无限大这样就是正常的了 击穿的话就是怎么量都是；H20R1202是一种功率MOSFET管功率MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率半导体器件H20R1202这款MOSFET管由国际整流器公司IR生产，属于其功率MOSFET系列中的一款产品它主要用于开关电源电机驱动电池管理等电路中，承担着电流控制和开关的功能H20R1202的具体参数包括最大；不可以， H20R1202功率管电流是20A耐压1200V，是IGBT管，不能代换三极管。

场效应管，简称IGBT管，你的坏了，建议百度IGBT管测量，很详细；IGBT的H20R1202与H20R1203是两种不同的绝缘栅双极晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor型号IGBT是一种结合了MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管和BJT双极结型晶体管特性的电力电子器件，广泛应用于电机驱动电源转换电动汽车和可再生能源等领域IGBT具有快速开关速度高输入阻抗和低；电磁炉大功率管即功率管IGBT，型号有H20R120220N12025N120等，外形和电路图符号如图属于N沟场效应管，鉴别好坏的两种方式1，使用数字表测试GCE三个脚用数字万用表二极管档，任意两脚不相通就是蜂鸣器不叫，控制极G和漏极D正测有530多二极管档测其余不显示数为正常的管子2，指针；电磁炉输出功率管使用的是IGBT管，H20R120是英飞凌公司生产的，可以直接使用英飞凌公司生产的H20R1202代换改进型，也可以使用东芝公司生产的GT25Q120代换H20R120的主要参数是反向击穿电压BVceo=1200V集电极最大连续电流Ic=20A，最大耗散功率Pcw=178W，内含阻尼二极管。

H20R1202简介电磁炉IGBT功率管 20A 1200V 外形封装 TO247 FGA25N120 ANTD电磁炉功率管IGBT封装 TO3P 50A1200V H20R1203封装TO247 20A，1200V，电磁炉功率管IGBT H25R1202封装TO247 电磁炉功率管IGBT 从上面选就选FGA25N120 ANTD，因为管子的额定电流较大50A。

H20R1202与FGA25N120都是电磁炉经常使用的IGBT管H20R1202的主要参数是最大连续电流Ic=20A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管FGA25N120的主要参数是最大连续电流Ic=25A，反向击穿电压BVceo=1200V，内含阻尼二极管从两只管参数可以看出，FGA25N120是完全可以直接代换H20R1202的。